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Discos Internos SSD

Rf.: HD34651201 (T.1)

PN: MZ-V9S4T0BW

Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

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Samsung MZ-V9S4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7150 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC

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Soporte y garantía SAMSUNG
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- 4 TB M.2 PCI Express 4.0
- Velocidad de lectura: 7250 MB/s 1050000 IOPS
- Velocidad de escritura: 6300 MB/s 1400000 IOPS
- V-NAND TLC NVMe 2.0
- Encriptación de hardware 256-bit AES
- Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
- Componente para: PC

Specs Icecat

  • 4 TB M.2 PCI Express 4.0
  • Velocidad de lectura: 7250 MB/s 1050000 IOPS
  • Velocidad de escritura: 6300 MB/s 1400000 IOPS
  • V-NAND TLC NVMe 2.0
  • Encriptación de hardware 256-bit AES
  • Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
  • Componente para: PC
SDD, capacidad4 TB
Factor de forma de disco SSDM.2
InterfazPCI Express 4.0
NVMeSi
Versión NVMe2.0
Tipo de memoriaV-NAND TLC
Componente paraPC
Encriptación de hardwareSi
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
Tamaño de la unidad SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura7250 MB/s
Velocidad de escritura6300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)1050000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)1400000 IOPS
Función DevSleepSi
Soporte S.M.A.R.T.Si
Soporte TRIMSi
Voltaje de operación3,3 V
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Consumo de energía (lectura)5,5 W
Consumo de energía (escritura)4,8 W
Consumo de energía (espera)0,06 W
Ancho80,2 mm
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)5 mW
Profundidad2,38 mm
Altura80,2 mm
Golpes en funcionamiento1500 G
Peso9 g

Almacenamiento
4 TB
Conexión
M.2

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