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Discos Internos SSD

Rf.: HD34651215 (T.1)

PN: MZ-VAP1T0BW

Samsung MZ-VAP1T0 1 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

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Samsung MZ-VAP1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14700 MB/s, Velocidad de escritura: 13300 MB/s, Componente para: PC/ordenador portátil

Stock: 2

257,48 € 
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Entrega miércoles 8 jul
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SAMSUNG
Soporte y garantía SAMSUNG
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- 1 TB M.2 PCI Express 5.0
- Velocidad de lectura: 14700 MB/s 1850000 IOPS
- Velocidad de escritura: 13300 MB/s 2600000 IOPS
- V-NAND TLC NVMe 2.0
- Encriptación de hardware 256-bit AES
- Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
- Componente para: PC/Consola de videojuegos

Specs Icecat

  • 1 TB M.2 PCI Express 5.0
  • Velocidad de lectura: 14700 MB/s 1850000 IOPS
  • Velocidad de escritura: 13300 MB/s 2600000 IOPS
  • V-NAND TLC NVMe 2.0
  • Encriptación de hardware 256-bit AES
  • Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
  • Componente para: PC/Consola de videojuegos
SDD, capacidad1 TB
Factor de forma de disco SSDM.2
InterfazPCI Express 5.0
NVMeSi
Versión NVMe2.0
Tipo de memoriaV-NAND TLC
Componente paraPC/Consola de videojuegos
Encriptación de hardwareSi
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
Tamaño de la unidad SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura14700 MB/s
Velocidad de escritura13300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)1850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)2600000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Expressx4
Función DevSleepSi
Soporte TRIMSi
Soporte S.M.A.R.T.Si
Voltaje de operación3,3 V
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Consumo de energía (lectura)7,6 W
Consumo de energía (escritura)7,2 W
Consumo eléctrico promedio (lectura)7,6 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)7,2 W
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Consumo de energía (espera)0,004 W
Ancho80,2 mm
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)3,3 mW
Profundidad2,38 mm
Altura80,2 mm
Golpes en funcionamiento1500 G
Peso9 g
Periodo de garantía5 año(s)
Tipo de embalajeCaja

Almacenamiento
1 TB
Conexión
M.2

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